mlb和mlbbigct（igct）

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本文目录一览：

• 1、牵引级IGBT 是iGCT吗
• 2、变频器IGBT和IGCT的区别在哪里
• 3、新型电力电子器件GTR，GTO，SIT，IGBT，MOSFET，SITH,MCT，IGCT的英文全称，和中文名是什么？
• 4、IGBT IGCT具有哪些特点

牵引级IGBT 是iGCT吗

IGBT和IGCT是两个不同的产品；

牵引级IGBT是指大电压（3300V以上）大电流封装的IGBT模块,而且IGBT芯片出厂要求和可靠性试验要求都比普通IGBT芯片要求高。

变频器IGBT和IGCT的区别在哪里

1、IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。

2、相对于IGBT而言，IGCT投放市场的时间较晚，应用也没有IGBT广，技术成熟度应该不如IGBT。

目前的 IGBT和IGCT开、关损耗都差不多，构成的变频器，效率也差别不大。 要论优势，主要是IGCT的耐压目前比IGBT的耐压高，应用于高压变频器的话使得器件减少。但是目前的风电变流器都是690V的，IGBT的耐压也就足够了。 IGBT和IGCT，谁是电力电子器件的发展方向？目前学术界正在争论，虽然IGCT出现晚，但至少在目前，还看不出它相对IGBT有什么优势。但也有可能随着技术的发展，两者并驾齐驱，或者都被某种新的器件代替。 与IGCT所对应的是IEGT, IEGT也称为压装式IGBT （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐压达4KV以上的IGBT系列电力电子器件，通过采取增强注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。 IEGT具有作为MOS系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。 日本东芝开发的IECT利用了“电子注入增强效应”，使之兼有IGBT和GTO两者的优点：低饱和压降，宽安全工作区(吸收回路容量仅为GTO的1/10左右)，低栅极驱动功率(比GTO低两个数量级)和较高的工作频率，如图3所示。器件采用平板压接式电极引出结构，可靠性高，性能已经达到4.5KV/1500A的水平。

新型电力电子器件GTR，GTO，SIT，IGBT，MOSFET，SITH,MCT，IGCT的英文全称，和中文名是什么？

GTR:电力晶体管Giant Transistor GTO:门级可关断晶闸管 Gate Turn-Off Thyristor SIT：静态感应晶体管Static Induction Transistor IGBT:绝缘栅双极晶闸管Insulated Gate Bipolar Transistor

MOSFET：金属氧化物场效应管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

SITH:静电感应晶体管Static Induction Thyristor

MCT2:光电晶体管光耦合器

IGCT:集成门极换流晶闸管Intergrated Gate Commutated Thyristors

IGBT IGCT具有哪些特点

IGCB 更多用于超高功率（兆瓦级）的电气设施中。

IGCT具有电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、低导通损耗等特点

IGBT综合了GTR、MOSFET两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，载流密度大等特点

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